半導體器件靜態(tài)特性綜合試驗臺
用于晶閘管、 整流管等半導體器件的阻斷特性測試、門極特性參數(shù)VGT、lGT、通態(tài)電壓測試、維持電流測試,各參數(shù)均采用計算機顯示, 一鍵式操作測試精度高,操作便捷,是半導體器件測試的必備設備。
一、概述
DBC-223型半導體器件靜態(tài)特性綜試驗臺的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關標準。
該設備具有如下特點：
1. 該測試系統(tǒng)是一套靜態(tài)綜合的測試系統(tǒng)，綜合測試參數(shù)多，技術水平較高。
2. 該測試系統(tǒng)是一套大電流、高電壓的測試設備，對設備的電氣性能要求高。
3. 該系統(tǒng)是一套靜態(tài)參數(shù)的集成測試系統(tǒng)，因此該設備的結(jié)構設計較為復雜
4. 該系統(tǒng)的測試控制完全采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。
5. 該系統(tǒng)采用計算機記錄測試，并可將測試轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進行處理，還能實時打印測試結(jié)果。
6. 該測試系統(tǒng)是半導體器件檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。
該套測試設備主要由以下幾個單元組成：
1) 門極觸發(fā)參數(shù)測試單元
2) 維持電流測試單元
3) 通態(tài)電壓參數(shù)測試
4) 阻斷參數(shù)測試單元
5) 計算機控制系統(tǒng)
2-2.4 阻斷測試
1. 阻斷電壓（VDRM\VRRM）：200—6000V，分辨率10V，準確度±3%±10V；
分兩檔：200-999V 分辨率10V，準確度±3%±10V；
1000-6000V 分辨率10V，準確度±3%±10V；
2. 阻斷漏電流(IDRM\IRRM)： 1—100mA 精度 ±3%±0.1mA
3.保護漏電流：1-99mA
計算機設定測試時斷態(tài)/反向峰值電壓的保護電壓數(shù)值及斷態(tài)/反向峰值電流的保護電流的數(shù)值。
4. 測試頻率：50HZ；
5. 測試方式：手動測試方式；
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